| Type |  Book |
| ชื่อเรื่อง | การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาคของซิลิกอนเจอเมเนียมสำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์สำหรับไดโอดเลเซอร์โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน / ภัทรจิตร มั่นทรัพย์ = Microstructural investigation of SiGe quantum dot transistors and GaN laser diodes using transmission electron microscopy / Pattarajit Mansup |
| ผู้แต่ง | ภัทรจิตร มั่นทรัพย์, 2523- |
| ISBN | 97417594719 |
| พิมพลักษณ์ | 2547 |
| รูปเล่ม | ก-ฏ, 94 แผ่น : ภาพประกอบ |
| หัวเรื่อง | Sige --Structure [] |
| | Annealing of metals |
| | Gan --Structure [] |
| | Quantum dots |
| | Transmission electron microscopes |
| | กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่งผ่าน --tshd [] |
| | การอบแอนนีลของโลหะ |
| | แกลเลียมไนไตรด์ --โครงสร้าง [] |
| | ควอนตัมดอต |
| | ซิลิกอนเจอเมเนียม --โครงสร้าง [] |